IGBT 1200V / 1800A Single
Základné informácie:
Označenie výrobcu | DIM1800ESM12-A000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | single-E3*(T+D) |
Konštrukcia: | 3*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 3 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | MODUL-E |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 1900 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 2 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1800 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1800 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.1 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 900000 [A2s] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 15625 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 200 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 190 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 20000 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 200000 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 190x140x38 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.008 [°C/W] ?Rth-c - definície pre rôzne súčiastky
Rth-c = Rthjc pre celé puzdro
Rth-c - fólie plocha inch2 |
L - Dĺžka | 190 [mm] |
W - Šírka | 140 [mm] |
H - Výška | 38 [mm] |