Trans IGBT Module N-CH 1200V 40A 15-Pin
Základné informácie:
Označenie výrobcu | SK35GD126ET |
Typ súčiastky: | IGBT-NPT |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
Konštrukcia: | 6*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 6 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITOP-3 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 36 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 10 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 40 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 32 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 90 [ns] |
Cin (Input Capacitance) | 2500 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 55x31x16 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 1.05 [°C/W] ?Rth-c - definície pre rôzne súčiastky
Rth-c = Rthjc pre celé puzdro
Rth-c - fólie plocha inch2 |
L - Dĺžka | 55 [mm] |
W - Šírka | 31 [mm] |
H - Výška | 15 [mm] |
Alternatívy a náhrady
Alternatívne tovary 1: | FS35R12W1T4 different package |