IGBT 1200V
ID Code: | 168032 |
Výrobce: | Infineon Technologies |
Cena s DPH : | 189,605779 € |
Cena bez DPH : | 156,698991 € |
DPH: | 21 % |
Dostupnosť: | na dotaz |
Spolu skladom: | 0 ks |
Označenie výrobcu: | BSM50GD120DN2 |
Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
Jednotka: | ks |
Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 156,698991 € | 189,605779 € | ||
3 + | 154,284583 € | 186,684345 € | ||
5 + | 153,097170 € | 185,247576 € | ||
10 + | 151,909757 € | 183,810806 € |
Označenie výrobcu | BSM50GD120DN2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Bridge 3f |
Konštrukcia: | 6*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 6 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 233.2 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 72 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 50 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 350 [W] |
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 200 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 56 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 70 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 140 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 3300 [pF] |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.35 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |