SEMiX101GD12Vs

IGBT 1200V

Prílohy:

Kliknutím zväčšíte

SEMiX101GD12Vs_SK.pdf

ID Code:	171387
Výrobce:	Semikron
Cena s DPH :	175,908569 €
Cena bez DPH :	145,378983 €
DPH:	21 %
Dostupnosť:	na dotaz

Spolu skladom:	0 ks
Označenie výrobcu:	SEMiX101GD12Vs
Jednotka:	ks

Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		145,378983 €		175,908569 €
2 +		138,096180 €		167,096378 €
4 +		99,940629 €		120,928161 €
48 +		90,876707 €		109,960815 €

IGBT 1200V

Základné informácie:

Označenie výrobcu	SEMiX101GD12Vs
Kategorie	IGBT Full Silicon
Konfigurácia:	Bridge 3f
Konštrukcia:	6*(IGBT+D)
Počet obvodov (v puzdre)	6 ks
Typ puzdra:	Modul
Puzdro [inch] :	SEMiX-13
Typ materiálu:	Si-Silicon
RoHS	Áno
REACH	Nie
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balenie a hmotnosť:

Jednotka	ks
Hmotnosť:	370 [g]
Typ balenia:	BOX
Malé balenie (počet jednotiek):	4

Elektro-fyzikálne parametre:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	159 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=80÷89°C)	121 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	2.2 [V_DC] ? Testovacie podmienky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
U_{CE (sat)} (@25°C)	1.75 [V]
t_r (Turn-on / rise time)	46 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	68 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	1100 [nC]
C_in (Input Capacitance)	6000 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

*Rozmery (LWH)* [mm]:	138x71x23
T_min (minimálna pracovná teplota)	-40 [°C]
T_max (maximálna pracovná teplota)	125 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.27 [°C/W] ? R_th-c - definície pre rôzne súčiastky R_th-c= R_thjc pre celé puzdro R_th-c- fólie plocha inch²
L - Dĺžka	138 [mm]
W - Šírka	71 [mm]
H - Výška	23 [mm]

Súvisiace produkty - SEMiX101GD12Vs

I+case 63,5x126_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra, SEMiX-13/ 3s, Econopack 3 a v rozměru 63,5x126 mm
ID: 176036 Ozn.výrobcu: F05-AL2-63,5x126mm_SEMiX13

na dotaz

Výrobce: SEMIC EU

Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.