Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

SKIIP2413GB123-4DFW

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
SKIIP2413GB123-4DFW Semikron
SKIIP2413GB123-4DFW Semikron
SKIIP2413GB123-4DFW Semikron
ks
ID Code:172348
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 3 636,168346 €
Cena bez DPH : 3 005,097807 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: SKiiP2413GB123-4DFW
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 3 005,097807 €3 636,168346 €
9 + 2 504,248172 €3 030,140288 €
54 + 2 253,823355 €2 727,126260 €
216 + 2 128,591188 €2 575,595337 €


Základné informácie:

Označenie výrobcuSKiiP2413GB123-4DFW 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfigurácia:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konštrukcia:8*IGBT+8*D 
Počet obvodov (v puzdre) 8 ks
Typ puzdra:Modul 
Puzdro [inch] :SKiiP3-4F 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:0.09 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):10 

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)2280 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)1756 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4300 [V]
UF (maximum forward voltage)1.5 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)75000 [V/µs]
I2t (TC/TA=25°C)911000 [A2s]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)85 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.009 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

!_potrebujete poradit ?_! SKIIP2413GB123-4DFW Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie