Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

SKIIP13ACM12V17

MOSFET 1200V Full SiC

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
SKIIP13ACM12V17 Semikron
SKIIP13ACM12V17 Semikron
Tovar už nie je na sklade
ID Code:173643
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: SKiiP13ACM12V17
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
MOSFET 1200V Full SiC

Základné informácie:

Označenie výrobcuSKiiP13ACM12V17 
Typ súčiastky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurácia:Bridge 3f 
Špecifikácia:SiC N-Channel MOSFET 
Konštrukcia:6*FET-BD+6*D 
Typ puzdra:Modul 
Puzdro [inch] :MiniSKiiP_1 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:30 [g]
Malé balenie (počet jednotiek):120 

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)19 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.4 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

tr (Turn-on / rise time)35 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)85 [ns]
Qg (Total Gate Charge)110 [nC]
Cin (Input Capacitance)2070 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)1.5 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

!_potrebujete poradit ?_! SKIIP13ACM12V17 Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie