FF300R12KT4

IGBT 1200V

Prílohy:

Kliknutím zväčšíte

FF300R12KT4_IF.pdf

Tovar už nie je na sklade

ID Code:	175158
Výrobce:	Infineon Technologies
Cena:	na dotaz
DPH:	21 %
Dostupnosť:	na dotaz

Spolu skladom:	0 ks
Označenie výrobcu:	FF300R12KT4PHOSA1
Jednotka:	ks

Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH

IGBT 1200V

Základné informácie:

Označenie výrobcu	FF300R12KT4PHOSA1
Kategorie	IGBT Full Silicon
Konfigurácia:	Half Bridge 1*(Phase Leg)
Konštrukcia:	2*(IGBT+D)
Počet obvodov (v puzdre)	2 ks
Typ puzdra:	Modul
Puzdro [inch] :	SEMITRANS-3
Typ materiálu:	Si-Silicon
Material Base	Cu+AL2O3
RoHS	Áno
REACH	Nie
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balenie a hmotnosť:

Jednotka	ks
Hmotnosť:	355 [g]
Typ balenia:	BOX
Malé balenie (počet jednotiek):	8

Elektro-fyzikálne parametre:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	460 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	300 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.65 [V_DC] ? Testovacie podmienky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
U_{CE (sat)} (@25°C)	1.75 [V]
I²t (T_C/T_A=25°C)	19000 [A²s]
P_max s chladičom (T_C=25°C)	1600 [W]
t_r (Turn-on / rise time)	40 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	100 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	2500 [nC]
C_in (Input Capacitance)	19000 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

*Rozmery (LWH)* [mm]:	108x62x31
T_min (minimálna pracovná teplota)	-40 [°C]
T_max (maximálna pracovná teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.093 [°C/W] ? R_th-c - definície pre rôzne súčiastky R_th-c= R_thjc pre celé puzdro R_th-c- fólie plocha inch²
RM - Rozstup vývodov	28 [mm]
L - Dĺžka	106.4 [mm]
W - Šírka	61.4 [mm]
H - Výška	30.5 [mm]

Alternatívy a náhrady

Alternatíva 1:

- SKM200GB12T4 &SK ()

Súvisiace produkty - FF300R12KT4

I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3 a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3