Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A
Základné informácie:
Označenie výrobcu | SK25GH12T4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Bridge 1f |
Konštrukcia: | 4*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 4 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITOP-3 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 36 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 10 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 35 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 29 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.41 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 19 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 77 [ns] |
Cin (Input Capacitance) | 1430 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 55x31x16 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 1.31 [°C/W] ?Rth-c - definície pre rôzne súčiastky
Rth-c = Rthjc pre celé puzdro
Rth-c - fólie plocha inch2 |
L - Dĺžka | 55 [mm] |
W - Šírka | 31 [mm] |
H - Výška | 15 [mm] |