Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

DPI2100P45A5200

Press-Pack IGBT 4500V/2100A

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
DPI2100P45A5200 Dynex Semiconductor
DPI2100P45A5200 Dynex Semiconductor
DPI2100P45A5200 Dynex Semiconductor
DPI2100P45A5200 Dynex Semiconductor
Tovar už nie je na sklade
ID Code:178526
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: DPI2100P45A5200
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
Press-Pack IGBT 4500V/2100A

Základné informácie:

Označenie výrobcuDPI2100P45A5200 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:single (1T) 
Konštrukcia:1*IGBT 
Počet obvodov (v puzdre) 1 ks
Typ puzdra:PUK 
Puzdro [inch] :PUK170/125x27T 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:3700 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)2100 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)2100 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.4 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)22700 [W]
tr (Turn-on / rise time)420 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)1900 [ns]
Qg (Total Gate Charge)38000 [nC]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.0044 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

D - Ø (Vonkajší priemer)170 [mm]
H - Výška 27 [mm]
Fmin:50000 [N]
Fmax:70000 [N]

Alternatívy a náhrady

Alternatívne tovary 1:T1800GB45E 
Alternatívne tovary 2:5SNA 2000K451300 

!_potrebujete poradit ?_! DPI2100P45A5200 Dynex Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie