Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

DRD3770A52

Rectifier Diode 5200V/4914A

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
DRD3770A52 Dynex Semiconductor
DRD3770A52 Dynex Semiconductor
DRD3770A52 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:180683
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 1 350,326555 €
Cena bez DPH : 1 115,972359 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: DRD3770A52
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 1 115,972359 €1 350,326554 €
3 + 1 088,055281 €1 316,546890 €
6 + 1 032,260612 €1 249,035341 €
12 + 948,548865 €1 147,744127 €
Rectifier Diode 5200V/4914A

Základné informácie:

Označenie výrobcuDRD3770A52 
Typ súčiastky:Diode Standard 
KategorieDiode Standard Disc 
Konfigurácia:single (1D) 
Typ puzdra:PUK 
Puzdro [inch] :PUK150/100x35 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:2675 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)4914 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)4914 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)3768 [A]
UF (maximum forward voltage)1.17 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (spätný prúd)200000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)15800000 [A2s]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)160 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.065 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

D - Ø (Vonkajší priemer)150 [mm]
H - Výška 35 [mm]
Fmin:75000 [N]
Fmax:91000 [N]

!_potrebujete poradit ?_! DRD3770A52 Dynex Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie