Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

SKM200GB12F4

Fast IGBT 1200V

Polovodiče - Tranzistory - IGBT - 1200÷1600 V
Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
SKM200GB12F4 Semikron
SKM200GB12F4 Semikron
/home/www/semic.cz/www/semic.cz/!old/files/pdf_www/SKM200GB12F4_SK.pdf
SKM200GB12F4_SK.pdf
ks
ID Code:181829
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 157,4056 €
Cena bez DPH : 130,0873 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: SKM200GB12F4
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 130,0873 €157,4056 €
6 + 123,5694 €149,5189 €
High Speed IGBT 1200V pro aplikace nad 15kHz

Základné informácie:

Označenie výrobcuSKM200GB12F4 
Typ puzdra:!_mod_! 
Puzdro:SEMITRANS-3 
Konfigurácia:Half Bridge 
RoHSÁno 
REACHÁno 
NOVINKAA 

Elektrické parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky

Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)279 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)279 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)213 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.67 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
fmax max.frequency (max./typ.)0.03 [MHz] ?

fmax - definície pre súčiastky

fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1134 [nC]
Cin (Input Capacitance)12300 [pF]

Materiál, farba, prevedenie:

Typ materiálu:Cu základňa 
Materiál: plášťa!_si-silicon_! 

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.14 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky

Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

Rozmery:

Rozmery vývodov0.00 [mm]

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:325 [g]
Balenie:12 

Vaša otázka SKM200GB12F4

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
Váš email:*
Váše telefonne číslo:*
Vaša otázka:*
Prosím prepíšte kód:* antispam
     !_vice informaci_!

pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam
Hore | Tlač stránky
Copyright © www.semic.sk, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.sk

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie