High Speed IGBT 1200V pro aplikace nad 15kHz
Základné informácie:
Označenie výrobcu | SKM200GB12F4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konštrukcia: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 2 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITRANS-3 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Áno |
REACH | Áno |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 355 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 12 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 279 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 213 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.67 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 1134 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 12300 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.14 [°C/W] ?Rth-c - definície pre rôzne súčiastky
Rth-c = Rthjc pre celé puzdro
Rth-c - fólie plocha inch2 |
RM - Rozstup vývodov | 28 [mm] |
L - Dĺžka | 106.4 [mm] |
W - Šírka | 61.4 [mm] |
H - Výška | 30.5 [mm] |