IGBT 1200V
ID Code: | 182131 |
Výrobce: | Semikron |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Spolu skladom: | 0 ks |
Označenie výrobcu: | SK35GD12T4ETE1 |
Jednotka: | ks |
Označenie výrobcu | SK35GD12T4ETE1 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
Konštrukcia: | 6*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 6 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITOP-E1 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 24 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 43 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 35 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Cin (Input Capacitance) | 1950 [pF] |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 1.2 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |