Brake Over Diode 1200V
ID Code: | 182208 |
Výrobce: | Ixys |
Cena s DPH : | 51,8337 € |
Cena bez DPH : | 42,8378 € |
DPH: | 21 % |
Dostupnosť: | Objednáno |
Spolu skladom: | 0 ks |
Označenie výrobcu: | IXBN75N170A |
Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): | 0 ks |
Jednotka: | ks |
množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH |
1 + | 42,8378 € | 51,8337 € |
3 + | 42,5276 € | 51,4584 € |
Označenie výrobcu | IXBN75N170A |
Typ puzdra: | !_mod_! |
Puzdro: | SOT-227 |
Typ súčiastky: | !_npn_! |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
UF (maximum forward voltage) | 4.2 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
Ubr / Ubo / Uz | 1200 [V] |
UCE (sat) (@25°C) | 4.95 [V] |
IDC-OUT (TC/TA=25°C) | 2 [A] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 1000 [V/µs] |
di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 200 [A/µs] |
I2t (TC/TA=25°C) | 0.000125 [1000*A2s] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 150000 [ns] |
Materiál: plášťa | !_si-silicon_! |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -55 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.2 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
Rozmery vývodov | 0.00 [mm] |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 0.55 [g] |
Balenie: | 10 |