IXBN75N170A
Brake Over Diode 1200V
| ID Code: | 182208 |
| Výrobce: | Ixys |
| Cena s DPH : | 51,8874 € |
| Cena bez DPH : | 42,8821 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | Skladom |
| Spolu skladom: | 12 ks |
| Označenie výrobcu: | IXBN75N170A |
| Centrálny sklad Zdice: | 10 ks |
| Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): | 2 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH |
| 1 + | 42,8821 € | 51,8874 € |
| 3 + | 42,5714 € | 51,5114 € |
Ochrana gatů tyristorů 1200V
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | IXBN75N170A |
| Typ puzdra: | MODUL |
| Puzdro: | SOT-227 |
| Kategorie | Bipolar NPN |
| Typ súčiastky: | !_npn_! |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
Elektrické parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| UF (maximum forward voltage) | 4.2 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| Ubr / Ubo / Uz | 1200 [V] |
| UCE (sat) (@25°C) | 4.95 [V] |
| IDC-OUT (TC/TA=25°C) | 2 [A] |
| du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 1000 [V/µs] |
| di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 200 [A/µs] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 0.000125 [1000*A2s] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 150000 [ns] |
Materiál, farba, prevedenie:
| Typ materiálu: | !_si-silicon_! |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.2 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
Rozmery:
| Rozmery vývodov | 0.00 [mm] |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 44.2 [g] |
| Balenie: | 10 |
Copyright © www.semic.sk,
provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz