- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- DPI1200P45C2626
DPI1200P45C2626
Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1200A
Tovar už nie je na sklade
| ID Code: | 182836 |
| Výrobce: | Dynex Semiconductor |
| Cena: | na dotaz |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | DPI1200P45C2626 |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1200A
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | DPI1200P45C2626 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurácia: | single 1*(T+D) |
| Konštrukcia: | 1*(IGBT+D) |
| Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
| Typ puzdra: | PUK |
| Puzdro [inch] : | PUK170/125x27T |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 3700 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 6 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1200 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 1200 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.6 [V] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 11400 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 400 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 2900 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 19000 [nC] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.009 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.009 [°C/W] |
| D - Ø (Vonkajší priemer) | 170 [mm] |
| H - Výška | 27 [mm] |
| Fmin: | 50000 [N] |
| Fmax: | 70000 [N] |
Alternatívy a náhrady
| Alternatívne tovary 1: | T1600GB45E |
| Alternatívne tovary 2: | 5SNA 2000K451300 |
| Alternatívne tovary 3: | T1600GB45G |