Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

DACMI160N1200

Single Full SiC MOSFET 1200V 160A 580W SOT-227

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
DACMI160N1200 Daco Semiconductor
DACMI160N1200 Daco Semiconductor
DACMI160N1200 Daco Semiconductor
ks
ID Code:183085
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 305,621032 €
Cena bez DPH : 252,579365 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: DACMI160N1200
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Dodacia lehota vo výrobe: 5÷10wk
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 252,579365 €305,621032 €
2 + 239,603175 €289,919842 €
4 + 226,666667 €274,266667 €
7 + 220,198413 €266,440080 €


Základné informácie:

Označenie výrobcuDACMI160N1200 
Dodacia lehota vo výrobe5÷10wk [wk]
Typ súčiastky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurácia:single 1*(T-BD) 
Špecifikácia:SiC Enhancement Mode MOSF 
Konštrukcia:1*FET-BD 
Typ puzdra:Modul 
Puzdro [inch] :SOT-227 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:36 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):13 

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)110 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)6.5 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičom (TC=25°C)580 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)185 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)30 [ns]
Qg (Total Gate Charge)360 [nC]
Cin (Input Capacitance)6000 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Rozmery (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimálna pracovná teplota)-50 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.22 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.22 [°C/W]
RM - Rozstup vývodov15 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov 12.7 [mm]
D - Ø (Vonkajší priemer)4.1 [mm]
L - Dĺžka 38.1 [mm]
W - Šírka 25.3 [mm]
H - Výška 12 [mm]

Súvisiace produkty - DACMI160N1200

I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 I+case 25,4x 38,2_F05-AL2   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Ozn.výrobcu: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni  
Množstvo [ks]1+40+80+200+
EUR/ks0,7738100,7460320,6944440,642857
Spolu skladom: 7507
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.

!_potrebujete poradit ?_! DACMI160N1200 Daco Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie