Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

DAGNH2001200

Fast IGBT 1200V

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
DAGNH2001200 Daco Semiconductor
DAGNH2001200 Daco Semiconductor
ks
ID Code:183094
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 107,5608 €
Cena bez DPH : 88,8932 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: DAGNH2001200
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 88,8932 €107,5608 €
4 + 84,7839 €102,5885 €
High Speed IGBT 1200V pro aplikace nad 15kHz

Základné informácie:

Označenie výrobcuDAGNH2001200 
Typ puzdra:!_mod_! 
Puzdro:SEMITRANS-2 
Konfigurácia:Half Bridge 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA

Elektrické parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)400 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)400 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3600 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)1300 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)180 [ns]
tr (Turn-on / rise time)184 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)58 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - definície pre súčiastky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)36000 [pF]

Materiál, farba, prevedenie:

Typ materiálu:Cu základňa 
Materiál: plášťa!_si-silicon_! 

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.1 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.16 [°C/W]

Rozmery:

Rozmery vývodov0.00 [mm]

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:167.7 [g]
Balenie:64 

Súvisiace produkty - DAGNH2001200

I+SEMITRANS2- 34x 94=005W-AL I+SEMITRANS2- 34x 94=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS- a v rozměru 34x94mm
ID: 181711   Ozn.výrobcu: F05-AL2-34x94mm  
Množstvo [ks]1+10+
EUR/ks1,16301,0855
Objednáno
Výrobce: -  
RoHS
KvcAWG20-330-2.8-S-yellow KvcAWG20-330-2.8-S-yellow  
ID: 112542  
Množstvo [ks]1+100+
EUR/ks0,17450,1706
Spolu skladom: 40
Výrobce: SEMIC CZ  
KvcAWG20-330-2.8-S-red KvcAWG20-330-2.8-S-red  
ID: 112541  
Množstvo [ks]1+100+
EUR/ks0,17450,1706
Spolu skladom: 39
Výrobce: SEMIC CZ  
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.

Vaša otázka DAGNH2001200

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
Váš email:*
Váše telefonne číslo:*
Vaša otázka:*
Prosím prepíšte kód:* antispam
     Ďalšie informácie

pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam
Copyright © www.semic.sk, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.sk

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie