MOSFET 200V / 210A Half Bridge
ID Code: | 183105 |
Výrobce: | Daco Semiconductor |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Dostupnosť: | na dotaz |
Spolu skladom: | 0 ks |
Označenie výrobcu: | DAMH280N200 |
Jednotka: | ks |
Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
Označenie výrobcu | DAMH280N200 |
Typ súčiastky: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfigurácia: | Half Bridge |
Špecifikácia: | Enhancement Mode |
Konštrukcia: | 2*FET-BD |
Počet obvodov (v puzdre) | 2 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | HB-9434 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 185 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 12 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 210 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 0.85 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 800 [W] |
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 6 [mΩ] |
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 360 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 56 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 56 [ns] |
f max | 40 [kHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 322 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 60770 [pF] |
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 94x34x30 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -50 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.18 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
L - Dĺžka | 94 [mm] |
W - Šírka | 34 [mm] |
H - Výška | 30 [mm] |
I+case 34x 94_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS-
a v rozměru 34x94mm ID: 181711 Ozn.výrobcu: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2
| Spolu skladom: 177 Výrobce: SEMIC EU |