Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

ACR2900VR45

Překlenovací Thyristor 4500V / 2900A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích VSC

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
ACR2900VR45 Dynex Semiconductor
ACR2900VR45 Dynex Semiconductor
ACR2900VR45 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:183763
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 941,111111 €
Cena bez DPH : 777,777778 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: ACR2900VR45
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 777,777778 €941,111111 €
3 + 758,333333 €917,583333 €
6 + 719,444444 €870,527777 €
12 + 661,111111 €799,944444 €
Asymetrický, překlenovací Thyristor 4500V / 2900A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích převodníků zdrojů napětí. Velmi vysoká odolnost proto kosmickému záření a hodnocení FIT, vysoká odolnost přepětí
Řada Asymetric - Bypass Thyristors je speciálně navržena pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích měničů napětí, kde je vyžadováno snížené dopředné blokovací napětí.
Primární charakteristikou překelnovacího tyristoru, který vymezuje odchylku proudu od IGBT diody, je dynamické zapínací napětí, přičemž celkový čas zapnutí jdruhotně neovlivňuje. Pro ochranu VSC byly vyrobeny vysoce optimalizované, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass tyristorovy.
Technologie VSC (Voltage Source Converter) poskytuje řadu výhod oproti tradičnímu (LCC) HVDC, včetně samočinné komutace, malých rozměrů a schopnosti černého startu a je stále populárnější v aplikacích, jako je větrné elektrárny na moři. schopnost IGBT diody je snížena, efektivní odklon proudu je nezbyt

Základné informácie:

Označenie výrobcuACR2900VR45 
Typ súčiastky:Trisil 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Konfigurácia:single TY 
Typ puzdra:PUK 
Puzdro [inch] :PUK110/73x27T 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:1200 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)2900 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)7600000 [A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)3000 [ns]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.00746 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

D - Ø (Vonkajší priemer)110 [mm]
H - Výška 27 [mm]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

Súvisiace produkty - ACR2900VR45

H.CD01/102/28kN/L180 H.CD01/102/28kN/L180  
ID: 107043   Ozn.výrobcu: CD01/102/28kN/L180  
na dotaz
Výrobce: PADA engineering  
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.

!_potrebujete poradit ?_! ACR2900VR45 Dynex Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie