Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

DS1109SG48

Usměrňovací dioda 4800V/910A

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
DS1109SG48 Dynex Semiconductor
DS1109SG48 Dynex Semiconductor
DS1109SG48 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:184206
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 201,866218 €
Cena bez DPH : 166,831585 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: DS1109SG48
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 166,831585 €201,866218 €
3 + 159,588363 €193,101919 €
6 + 145,062339 €175,525430 €
12 + 130,575896 €157,996834 €
Usměrňovací dioda 4800V/910A

Základné informácie:

Označenie výrobcuDS1109SG48 
Typ súčiastky:Diode Standard 
KategorieDiode Standard Disc 
Konfigurácia:single (1D) 
Typ puzdra:PUK 
Puzdro [inch] :PUK 58/34x26 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:275 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)910 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)910 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)710 [A]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (spätný prúd)50000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)422000 [A2s]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)160 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.032 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

D - Ø (Vonkajší priemer)58.5 [mm]
H - Výška 27 [mm]
Fmin:11500 [N]
Fmax:13500 [N]

!_potrebujete poradit ?_! DS1109SG48 Dynex Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie