Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

APT10M07JVFR

N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
APT10M07JVFR Microchip Technology - Microsemi
APT10M07JVFR Microchip Technology - Microsemi
APT10M07JVFR Microchip Technology - Microsemi
ks
ID Code:186540
Výrobce:Microchip Technology - Microsemi
Cena s DPH : 75,0295 €
Cena bez DPH : 62,0079 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: APT10M07JVFR
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 62,0079 €75,0295 €
5 + 59,4488 €71,9331 €
10 + 56,8504 €68,7890 €
25 + 54,2913 €65,6925 €
N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A
Power MOS V® je nová generace vysokonapěťových N-kanálových vylepšení výkonových tranzistorů MOSFET. Tato nová technologie minimalizuje efekt JFET, zvyšuje hustotu osazení a snižuje zapínací odpor. Power MOS V® také dosahuje vyšších spínacích rychlostí díky optimalizovanému uspořádání hradel.

Základné informácie:

Označenie výrobcuAPT10M07JVFR 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:SOT-227 
KategorieFET N-Channel 
Typ súčiastky:!_n_fet 1x single_! 
Konfigurácia:single Transistor 
Typ materiálu:!_si-silicon_! 
Material BaseNo Info 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:30 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):10 

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)225 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)225 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)700 [W]
Input Logic Level (UGS level)30V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)[mΩ]
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
tr (Turn-on / rise time)120 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1050 [nC]
Cin (Input Capacitance)21600 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-55 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.18 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

Rozmery vývodov0.00 [mm]

Vaša otázka APT10M07JVFR

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
Váš email:*
Váše telefonne číslo:*
Vaša otázka:*
Prosím prepíšte kód:* antispam
     Ďalšie informácie

pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie