MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
ID Code: | 186126 |
Výrobce: | Semikron |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Spolu skladom: | 0 ks |
Označenie výrobcu: | SK200MB120CR03TE2 |
Jednotka: | ks |
Označenie výrobcu | SK200MB120CR03TE2 |
Typ súčiastky: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfigurácia: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Špecifikácia: | SiC N-Channel MOSFET |
Konštrukcia: | 2*FET-BD |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITOP-E2 |
Typ materiálu: | SiC Full |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 24 [g] |
Malé balenie (počet jednotiek): | 15 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 182 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (UGS level) | 15V |
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 40 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 29 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 590 [nC] |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 1 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
L - Dĺžka | 57 [mm] |
W - Šírka | 63 [mm] |
H - Výška | 17 [mm] |