Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

SK35GD12T4ETE1

IGBT 1200V

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
SK35GD12T4ETE1 Semikron
SK35GD12T4ETE1 Semikron
SK35GD12T4ETE1 Semikron
Tovar už nie je na sklade
ID Code:182131
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: SK35GD12T4ETE1
Jednotka: ks
IGBT 1200V

Základné informácie:

Označenie výrobcuSK35GD12T4ETE1 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:Bridge 3f -SE(single emiter) 
Konštrukcia:6*(IGBT+D) 
Počet obvodov (v puzdre) 6 ks
Typ puzdra:Modul 
Puzdro [inch] :SEMITOP-E1 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:24 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):10 

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)43 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)35 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
Cin (Input Capacitance)1950 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)1.2 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

!_potrebujete poradit ?_! SK35GD12T4ETE1 Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie