1200V SiC MOSFET Module, Press-Fit types
ID Code: | 186112 |
Výrobce: | Semikron |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Spolu skladom: | 0 ks |
Označenie výrobcu: | SK35MLLE120SCp |
Jednotka: | ks |
Označenie výrobcu | SK35MLLE120SCp |
Typ súčiastky: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Konfigurácia: | Low side 2*(Boost Chopper) |
Špecifikácia: | SiC N-Channel MOSFET |
Konštrukcia: | 2*FET-BD+4*D |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITOP-2p |
Typ materiálu: | SiC Full |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 22.8 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 12 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 33 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.6 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
Qg (Total Gate Charge) | 107 [nC] |
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 41x28x16 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.045 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
L - Dĺžka | 41 [mm] |
W - Šírka | 28 [mm] |
H - Výška | 16 [mm] |
I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3
a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Spolu skladom: 9104 Výrobce: SEMIC EU |