IGBT 600V 77A/25°C H-bridge
Základné informácie:
Označenie výrobcu | SK75GBB066T |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konštrukcia: | 4*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 4 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITOP-3 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 39 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 10 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 77 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 60 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.35 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.45 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 700 [nC] |
Teplotné a mechanické parametre:
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.94 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.55 [°C/W] |
L - Dĺžka | 57 [mm] |
W - Šírka | 63 [mm] |
H - Výška | 17 [mm] |
Alternatívy a náhrady
Alternatívne tovary 1: | SK75GARL065E |